各種薄膜中不純物の深さ方向分析

概要

原理

試料を陰極として希ガス中でグロー放電させ、スパッタリングされた試料表面の原子を放電プラズマ中でイオン化し、そのイオンを高分解能質量分析計で検出する。

  • 負グロー領域

装置構成図

  • 装置構成図

特徴

  • 検出感度が高く、pg(ピコグラム 10-12g)/gレベルまでの測定が可能
  • ダイナミックレンジが広い(11桁程度)
  • 標準試料無しでの半定量分析が可能
  • μmオーダーでの深さ方向分析が可能(分解能:0.1μm)
  • 同位体比測定が可能

適用分野

  • 高純度金属: Al,Ti,Mo,Co,W,Cu,Au・・
  • 半導体材料: Si,SiC,GaAs,GaP,InP・・
  • 合金: 鉄鋼材料,非鉄系材料(Al,Ti,Cu等)
  • セラミックス: ガラス,Y2O3,Al2O3,AlN・・
  • 各種成膜層: CVD膜,焼結体,薄膜(含む深さ方向分析)

測定例

  • SiC-CVD膜中不純物のデプスプロファイル1
  • SiC-CVD膜中不純物のデプスプロファイル2

SiC-CVD膜中不純物のデプスプロファイル

  • アルミ中不純物元素の検量線の例

    アルミ中不純物元素の検量線の例

  • 高純度チタン中不純物分析の例

    高純度チタン中不純物分析の例

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