半導体材料、セラミックス材料からの微量発生ガス分析

概要

試料を高真空容器内で加熱・昇温し、昇温中に試料から脱離、発生するガス成分を四重極質量分析計で検出する。

装置構成図

  • 装置構成図

装置仕様

  • 測定質量範囲:M/e=1~200 (イオン化方式:電子衝撃型)定量測定時は8質量数で選択可
  • 加熱温度範囲:RT~1100℃
  • 昇温速度:10~120℃/min.
  • 到達圧力:1.33×10-7 Pa(1×10-9 Torr)程度
  • 加熱機構:ハロゲンランプ及び集光ミラー

特徴

  • 試料の表面及び内部から脱離するガス及び分子と発生温度、圧力との関係測定可能
  • 試料からの発生ガス、脱離分子の定性及び定量(分子数)分析が可能
  • 試料だけを加熱するため、バックグラウンドが低く、水素(H2)、水蒸気(H2O)、一酸化炭素(CO)、二酸化炭素(CO2)、酸素(O2)、窒素(N2)などの低質量分子の高感度分析(1014個以上)が可能
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